是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 125 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 38 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0021 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-N4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 104 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIE862DF | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SIE862DF-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SIE864DF-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 23 A, 30 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM | |
SIE868DF | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | |
SIE868DF-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | |
SIE874DF-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SIE876DF | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SIE876DF-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SIE878DF | VISHAY |
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N-Channel 25-V (D-S) MOSFET | |
SIE878DF-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |