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SIE802DF-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 19:49:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 196K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 42.7A 10-Pin PolarPAK T/R

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SIE802DF-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：42.7 A最大漏源导通电阻：0.0019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIE802DF-T1-GE3 数据手册

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SiE802DF  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
ID (A)a  
Definition  
•
•
TrenchFET® Gen II Power MOSFET  
Ultra Low Thermal Resistance Using Top-  
Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided  
Cooling  
Silicon Package  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)e  
Qg (Typ.)  
Limit  
Limit  
0.0019 at V = 10 V  
GS  
202  
60  
30  
50 nC  
•
Leadframe-Based New Encapsulated Package  
- Die Not Exposed  
0.0026 at V = 4.5 V  
GS  
173  
60  
- Same Layout Regardless of Die Size  
Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through  
100 % Rg and UIS Tested  
Package Drawing  
www.vishay.com/doc?72945  
•
•
•
PolarPAK  
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
10  
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
8
9
10  
D
APPLICATIONS  
•
•
•
VRM  
DC/DC Conversion: Low-Side  
Synchronous Rectification  
D
D
D
S
G
G
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
5
4
3
2
1
Top View  
Bottom View  
S
Top surface is connected to pins 1, 5, 6, and 10  
N-Channel MOSFET  
For Related Documents  
www.vishay.com/ppg?72985  
Ordering Information: SiE802DF-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
SiE802DF-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
202 (Silicon Limit)  
60a (Package Limit)  
TC = 25 °C  
60a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
42.7b, c  
34.2b, c  
100  
60a  
4.3b, c  
50  
125  
125  
80  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
3.3b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
Notes:  
a. Package limited is 60 A.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PolarPAK is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72985  
S09-1337-Rev. E, 13-Jul-09  
www.vishay.com  
1
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与SIE802DF-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIE804DF-T1-GE3 VISHAY

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 		N-CH POLARPAK BWL 150V 38MOHM@10V - Tape and Reel
SIE806DF VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE806DF-T1-E3 VISHAY

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 		MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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