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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIE820DF-T1-GE3
SIE820DF-T1-GE3 PDF预览

SIE820DF-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 09:25:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 177K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SIE820DF-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：136 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIE820DF-T1-GE3 数据手册

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SiE820DF  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
ID (A)a  
Silicon Package  
•
Extremely Low Qgd WFET Technology for  
Low Switching Losses  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
Limit  
Limit  
0.0035 at V = 4.5 V  
GS  
136  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
50  
20  
43 nC  
Ultra Low Thermal Resistance Using Top-  
Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided Cooling  
Leadframe-Based New Encapsulated Package  
- Die Not Exposed  
0.0064 at V = 2.5 V  
GS  
100  
50  
Package Drawing  
www.vishay.com/doc?73398  
•
- Same Layout Regardless of Die Size  
Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through  
100 % Rg and UIS Tested  
PolarPAK  
•
•
•
10  
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
S
4
8
9
10  
D
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
VRM  
D
D
G
DC/DC Conversion  
Synchronous Rectification  
D
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
5
3
2
1
G
Top View  
Top surface is connected to pins 1, 5, 6, and 10  
Ordering Information: SiE820DF-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
SiE820DF-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Bottom View  
S
N-Channel MOSFET  
For Related Documents  
www.vishay.com/ppg?74447  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
12  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
136 (Silicon Limit)  
50a (Package Limit)  
50a  
TC = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
30b, c  
24b, c  
80  
50a  
4.3b, c  
30  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
45  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
104  
66  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
Notes:  
a. Package limited is 50 A.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PolarPAK is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 74447  
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09  
www.vishay.com  
1
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SIE820DF-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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