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SID05N10

更新时间： 2024-01-13 10:51:38

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描述
5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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SID05N10 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Base Number Matches：	1

SID05N10 数据手册

SID05N10

5A , 100V , R_DS(ON)170 mΩ

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Elektronische Bauelemente

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V_GS=0, I_D=1mA

BV_DSS

V_GS(th)

100

2.5

V_DS=10V, I_D=1mA

V_DS=10V, I_D=2.5A

Forward Trans-conductance

g_fs

Gate-Source Leakage Current

I_GSS

I_DSS

±100

V_GS= ±20V

Drain-Source Leakage Current T_J=25°C

V_DS=100 V, V_GS=0

V_GS=10 V, I_D=2.5A

V_GS=4V, I_D=2.5A

170

Static Drain-Source On-Resistance²

R_DS(ON)

mΩ

200

Turn-on Delay Time²

Rise Time

T_d(on)

T_r

V_DD=30V

I_D=1A

V_GS=10 V

R_G=6Ω

9.4

26.8

Turn-off Delay Time

T_d(off)

R_L=30Ω

Fall Time

T_f

2.6

975

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

V_GS=0

V_DS=25V

f =1 MHz

Source-Drain Diode

Forward On Voltage²

Notes:

V_SD

1.5

I_S=5A, V_GS=0 ,T_J=25 °C

1. Pulse width limited by maximum junction temperature.

2. Pulse width≦300us, duty cycle≦2%

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

26-Dec-2011 Rev. A

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