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SI7170DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:11:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 327K
描述
TRANSISTOR 28.5 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7170DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：28.5 A
最大漏源导通电阻：0.0034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：48 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7170DP-T1-GE3 数据手册

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Si7170DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and Avalanche Tested  
40g  
40g  
•
•
•
0.0034 at VGS = 10 V  
0.0043 at VGS = 4.5 V  
30  
29 nC  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
Notebook PC Core  
- Low Side  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
•
VRM POL  
2
S
3
G
4
D
D
8
D
7
D
6
D
5
G
Bottom View  
Ordering Information: Si7170DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
40g  
40g  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
28.5b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
22.8b, c  
70  
40g  
4.5b, c  
40  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.1 mH  
EAS  
80  
48  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
31  
5b, c  
3.2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
20  
25  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
2.1  
2.6  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 69981  
S11-1650-Rev. C, 15-Aug-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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SI7170DP-T1-GE3 替代型号

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