Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 09:25:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	482K
描述
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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SI7186DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	45 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	14.5 A	最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	64 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7186DP-T1-GE3 数据手册

Si7186DP

Vishay Siliconix

N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

Available

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

100 % UIS Tested

32^g

0.0125 at V_GS= 10 V

46 nC

•

PowerPAK SO-8

APPLICATIONS

•

Primary Side Switch

POL

Intermediate Bus Converter

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7186DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7186DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

32^g

_C= 25 °C

32^g

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

14.5^{b, c}

11.5^{b, c}

32^g

4.5^{b, c}

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

E_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L = 0.1 mH

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

5.2^{b, c}

3.3^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

°C/W

1.0

1.5

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed

and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.

g. Package Limited.

Document Number: 69257

S09-0271-Rev. B, 16-Feb-09

www.vishay.com

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SI7192DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7194DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7196DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 15.8 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK
SI7196DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI-72001	BEL	获取价格	Telecom and Datacom Connector
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