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SI7196DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-25 21:00:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	314K
描述
TRANSISTOR 15.8 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7196DP-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	15.8 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7196DP-T1-E3 数据手册

Si7196DP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

Available

16^g

0.011 at V_GS= 10 V

0.0145 at V_GS= 4.5 V

•

Extremely Low Qgd WFET^®Technology

for Switching Losses

13.2 nC

•

100 % R_gTested

PowerPAK SO-8

100 % Avalanche Tested

APPLICATIONS

6.15 mm

5.15 mm

•

Notebook

Core Voltage High-Side

System Power Low-Side

Bottom View

Ordering Information: Si7196DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7196DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

16^g

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

16^g

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

15.8^{b, c}

12.7^{b, c}

16^g

4.5^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L = 0.1 mH

E_AS

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

41.6

26.6

5^{b, c}

P_D

Maximum Power Dissipation

3.2^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

°C/W

Steady State

R_thJC

2.4

3.0

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.

g. Package Limited.

Document Number: 70336

S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7196DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI-72001	BEL	获取价格	Telecom and Datacom Connector
SI7200E	SANKEN	获取价格	STEPPING MOTOR DRIVER
SI-7200E	SANKEN	获取价格	STEPPING MOTOR DRIVER
SI7200M	ETC	获取价格	Industrial Control IC
SI-7200M	SANKEN	获取价格	Bipolar Driver IC
SI7201	SILICON	获取价格	Si720x Switch/Latch Hall Effect Magnetic Position Sensor
Si7201-00-FV	SILICON	获取价格	Si7201-00-FV、全极开关磁敏传感器旨在简化磁敏开关/锁存需求。该设备功率低，灵敏
Si7201-01-FV	SILICON	获取价格	Si7201-01-FV、全极开关磁敏传感器旨在简化磁敏开关/锁存需求。该设备功率低，灵敏
Si7201-02-FV	SILICON	获取价格	Si7201-02-FV、全极开关磁敏传感器旨在简化磁敏开关/锁存需求。该设备功率低，灵敏

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