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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6801DQ-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI6801DY | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI6802DQ | VISHAY |
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N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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| SI6802DQ | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI6802DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI6803DQ | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SI6803DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI680M100 | NTE |
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SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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| SI680M16 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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| SI680M160 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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