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SI6820DQ

更新时间： 2024-11-24 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
5页 62K
描述
N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode

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SI6820DQ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.38配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI6820DQ 数据手册

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Si6820DQ  
Vishay Siliconix  
N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.160 @ V = 4.5 V  
"1.9  
"1.5  
GS  
20  
0.260 @ V = 3.0 V  
GS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VF (v)  
Diode Forward Voltage  
VKA (V)  
IF (A)  
20  
0.5 V @ 1 A  
1.5  
D
K
TSSOP-8  
D
K
A
A
A
G
1
8
D
S
S
2
3
4
7
6
5
Si6820DQ  
G
S
A
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
V
20  
20  
DS  
KA  
V
V
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
V
GS  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
"1.9  
"1.5  
"8  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)  
I
J
D
T
A
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
I
DM  
A
a, b  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
Average Foward Current (Schottky)  
I
1.0  
S
I
1.5  
F
Pulsed Foward Current (Schottky)  
30  
FM  
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
1.2  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
T
A
0.76  
1.0  
P
W
D
T
A
a, b  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
T
A
0.64  
–55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Device  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
MOSFET  
Schottky  
MOSFET  
Schottky  
105  
125  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t v 10 sec)  
R
thJA  
_
C/W  
115  
130  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t = steady state)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
Document Number: 70790  
S-56936—Rev. C, 23-Nov-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
12345

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与SI6820DQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6820DQ-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI6820DQ-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI6821DQ VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI6862DQ VISHAY

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 		Current-Sensing Power MOSFETs
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 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6866BDQ VISHAY

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