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SI6821DQ

更新时间： 2024-11-24 21:53:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
5页 63K
描述
P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode

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SI6821DQ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI6821DQ 数据手册

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Si6821DQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.190 @ V = –4.5 V  
"1.7  
"1.3  
GS  
–20  
0.280 @ V = –3.0 V  
GS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VF (V)  
Diode Forward Voltage  
VKA (V)  
IF (A)  
20  
0.5 V @ 1 A  
1.5  
S
K
TSSOP-8  
D
S
S
G
K
A
A
A
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
Si6821DQ  
D
A
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
V
–20  
20  
DS  
KA  
V
V
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
V
GS  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
"1.7  
"1.3  
"8  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)  
I
J
D
T
A
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
I
DM  
A
a, b  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
Average Foward Current (Schottky)  
I
–1.0  
1.5  
S
I
F
Pulsed Foward Current (Schottky)  
30  
FM  
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
1.2  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
T
A
0.76  
1.0  
P
W
D
T
A
a, b  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
T
A
0.64  
–55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Device  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
MOSFET  
Schottky  
MOSFET  
Schottky  
105  
125  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t v 10 sec)  
R
thJA  
_
C/W  
115  
130  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t = steady state)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
Document Number: 70791  
S-56954—Rev. C, 01-Mar-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
12345

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与SI6821DQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6821DQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI6862DQ VISHAY

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 		Current-Sensing Power MOSFETs
SI6862DQ-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen
SI6862DQ-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI6862DQ-T1-E3 VISHAY

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SI6862DQ-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6866BDQ VISHAY

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 		Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6866BDQ-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI6866BDQ-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6866DQ

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