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SI4845DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-23 19:52:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
11页 243K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4845DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.75 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SI4845DY-T1-E3 数据手册

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Si4845DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
- 2.7  
•
•
LITTLE FOOT® Plus Integrated Schottky  
0.210 at VGS = - 4.5 V  
0.345 at VGS = - 2.5 V  
- 20  
2.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 2.1  
APPLICATIONS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
•
Asynchronous dc-to-dc Buck  
VF (V)  
VKA (V)  
IF (A)  
Diode Forward Voltage  
20  
0.50 V at 1.0 A  
2.4  
S
K
SO-8  
A
A
S
G
K
K
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
D
A
Ordering Information:Si4845DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4845DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
VKA  
VGS  
Limit  
- 20  
- 20  
12  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
V
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 2.7  
- 2.1  
- 2.1b, c  
- 1.7b, c  
- 7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
A
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 2.4  
Continuous Source-Drain Diode Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
- 1.9b, c  
1b  
IF  
Average Forward Current (Schottky)  
Pulsed Foward Current (Schottky)  
IFM  
- 7  
TC = 25 °C  
2.75  
T
C = 70 °C  
1.75  
PD  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
W
1.75b, c  
1.1b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
60  
Max.  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET and Schottky)  
71.5  
45  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain) (MOSFET and Schottky)  
35  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 73415  
S09-2109-Rev. C, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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与SI4845DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4845DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
Si4848ADY VISHAY

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SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4848DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2700 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
Si4850BDY VISHAY

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 		N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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