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SI4856ADY-E3

更新时间： 2024-11-23 20:53:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 97K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4856ADY-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：6.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4856ADY-E3 数据手册

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Si4856ADY  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
PRODUCT SUMMARY  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
0.0052 @ V = 10 V  
GS  
17  
14  
D Buck Converter  
30  
21  
0.0076 @ V = 4.5 V  
GS  
D Synchronous Rectifier  
− Secondary Rectifier  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4856ADY—E3  
Si4856ADY-T1—E3 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
"20  
26  
DS  
GS  
V
V
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
C
21  
C
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
17  
T
A
14  
A
Pulsed Drain Current  
I
I
"50  
2.7  
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulse Source-Drain Diode Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
I
S
50  
SM  
I
AS  
45  
L = 0.1 mH  
E
100  
6.5  
mJ  
AS  
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
C
4.2  
C
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
3.0  
T
A
2.0  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
34  
67  
15  
41  
80  
19  
a
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. t = 10 sec  
Document Number: 73239  
S-50031—Rev. A, 17-Jan-05  
www.vishay.com  
1
1234567

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与SI4856ADY-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4856ADY-RC

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 		R-C Thermal Model Parameters
SI4856ADY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4856DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V MOSFET
SI4856DY-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		TRANSISTOR 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4860DY VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFE

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