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SI4852DY

更新时间： 2024-11-19 21:18:19
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4852DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI4852DY 数据手册

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Si4852DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D LITTLE FOOTr Plus  
D 100% Rg Tested  
0.0120 @ V = 10 V  
GS  
11  
30  
0.0175 @ V = 4.5 V  
9.5  
GS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (v)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
30  
0.53 V @ 3 A  
4
SO-8  
D
S
S
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Schottky Diode  
G
G
Top View  
Ordering Information: Si4852DY  
S
Si4852DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
V
30  
30  
DS  
DA  
GS  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage  
V
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
11  
8.7  
7.0  
A
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
J
I
D
a
(MOSFET)  
T
A
9.0  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
50  
50  
DM  
A
a
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
Average Foward Current (Schottky)  
I
S
2.3  
4.0  
1.3  
2.5  
I
F
Pulsed Foward Current (Schottky)  
I
FM  
T
= 25_C  
2.5  
1.6  
1.47  
0.94  
1.38  
0.88  
A
a
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
T
A
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
P
W
D
T
A
2.27  
1.45  
a
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
MOSFET  
Schottky  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
40  
72  
18  
50  
85  
22  
45  
75  
20  
55  
90  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71307  
S-31726—Rev. D, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4852DY-T1 VISHAY

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