SI4850EY-E3

更新时间： 2024-11-22 22:07:23

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

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SI4850EY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.47	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.3 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4850EY-E3 数据手册

Si4850EY

Vishay Siliconix

N-Channel Reduced Q_g, Fast Switching MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.022 @ V = 10 V

8.5

7.2

0.031 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4850EY

Si4850EY—E3 (Lead Free)

Si4850EY-T1 (with Tape and Reel)

Si4850EY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

8.5

7.1

6.0

5.0

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

= 25_C

= 70_C

3.3

2.3

1.7

1.2

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71146

S-40572—Rev. D, 29-Mar-04

www.vishay.com

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