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SHD432102DS

更新时间： 2024-11-28 20:01:23
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, CERAMIC, LCC-6

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SHD432102DS 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.86
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-CDSO-N6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

SHD432102DS 数据手册

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SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD432102D  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 952, REV. A  
Formerly Part Number SHD4322  
DUAL SMALL SIGNAL HIGH SPEED  
SWITCHING TRANSISTOR  
Add Suffix “S” for S-100 Screening  
DESCRIPTION: DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN A SURFACE MOUNT CERAMIC LCC-6 PACKAGE.  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).  
A
CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
-
-
-
40  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
(VCEO  
(VCBO  
(VEBO  
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75  
6.0  
800  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
)
)
mAdc  
Collector Current-Continuous  
(IC)  
Total Power Dissipation, For each device  
For each device  
PT @ TA=25°C  
0.90  
1.78  
W
W
Derate above 25 °C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
0.005  
125  
+150  
-
-
-
-
-
Thermal Resist. Junction to Case  
Operating Junction  
and Storage Temp.  
RθJC  
-65  
(TJ & Tstg)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)  
A
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO (1)  
40  
75  
6.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
Vdc  
Vdc  
Vdc  
IC = 10mAdc, IB = 0  
IC = 10µAdc, IE = 0  
IE = 10µAdc, IC = 0  
VCB = 60Vdc, IE = 0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
(ICBO  
-
0.01  
10  
µAdc  
µAdc  
)
-
VCB = 60Vdc, IE = 0,  
TA = 150°C  
-
-
10  
nAdc  
Collector Cutoff Current  
(ICEX  
)
VCE = 60Vdc, IC = 0,  
VEB(off) = 3.0Vdc  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(hFE) IC = 0.1 mAdc  
IC = 1.0 mAdc  
35  
50  
75  
100  
40  
-
-
-
-
VCE = 10Vdc  
IC = 10 mAdc (1)  
IC = 150 mAdc (1)  
IC = 500 mAdc (1)  
-
300  
-
Collector to Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)  
)
IC=150mAdc,  
IB=15mAdc  
IC=500mAdc,  
IB=50mAdc  
-
-
-
-
0.3  
1.0  
Vdc  
Vdc  
Base to Emitter Saturation Voltage  
(VBE(sat)  
)
IC=150mAdc,  
IB=15mAdc  
IC=500mAdc,  
IB=50mAdc  
-
-
0.6  
-
1.2  
2.0  
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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与SHD432102DS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD432103 SENSITRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HERMETIC
SHD432104 SENSITRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMI
SHD4321S SENSITRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, LCC-6
SHD4322 SENSITRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
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