Datasheet > SHD444104

SHD444104

更新时间： 2024-11-08 04:04:51

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	155K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SHD444104 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-CDSO-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

SHD444104 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD444104

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 726, REV –

Formerly part number SHD4464

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

DESCRIPTION: AN NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN A SURFACE CERAMIC LCC-4 PACKAGE.

MAXIMUM RATINGS

(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).

RATING

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

150

UNITS

Vdc

Collector-Emitter Voltage

(V_CEO

(V_CBO

(V_EBO

)

150

6.0

Vdc

mAdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

)

300

0.45

Collector Current-Continuous

Total Power Dissipation

(I_C)

(P_D@ T_C= 25°C)

mW/°C

Derate above 25°C

285

+150

Thermal Resist. Junction to Case

Operating Junction

and Storage Temp.

Rθ_JC

°C/W

°C

-65

(T_J& T_stg)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS

(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)

Collector-Emitter Breakdown Voltage V_{(BR)CEO (1)}

150

6.0

Vdc

I_C= 10mAdc, I_B= 0

I_C= 10µAdc, I_E= 0

I_E= 10µAdc, I_C= 0

V_CB= 75Vdc, I_E= 0

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

(I_CBO

0.05

µAdc

)

V_CB= 75Vdc, I_E= 0,

T_A= 150°C

nAdc

Emitter Cutoff Current

(I_EBO

)

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(h_FE) I_C= 0.1 mAdc

(V_CE= 10Vdc)

I_C= 1.0 mAdc

I_C= 10 mAdc (1)

I_C= 150 mAdc (1)

I_C= 300 mAdc (1)

100

300

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

Current Gain, Bandwidth

V_CE= 20Vdc, I_C=

20mAdc,

150

MHz

(2)

(f_T)

f = 100MHz

Output Capacitance (C_obo

)

V_CB= 10Vdc, I_E=0,

f = 1.0 MHz

8.0

•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

中文翻译

下载PDF

与SHD444104相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD446010	SENSITRON	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SHD4461S	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LCC-4
SHD4462	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-4
SHD4463	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-4
SHD4463S	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-4
SHD4464	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-4
SHD4464S	SENSITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-4
SHD5	CIT	获取价格	CIT SWITCH
SHD50101	SENSITRON	获取价格	DUAL FIXED +/- 15.0 VOLT 1.5 AMP VOLTAGE REGULATOR
SHD501290	ETC	获取价格	HERMETIC ULTRA LOW DROPOUT LINEAR REGULATOR

与SHD444104相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

45
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD444104

SHD444104 技术参数

SHD444104 数据手册

与SHD444104相关器件

与SHD444104相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD444104

SHD444104 技术参数

SHD444104 数据手册

与SHD444104相关器件

与SHD444104相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？