SHD114536

更新时间： 2024-11-18 04:51:59

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		/
页数	文件大小	规格书
3页	64K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SHD114536 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PXSO-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	其他特性：	LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用：	EFFICIENCY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-PXSO-N2	最大非重复峰值正向电流：	860 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SHD114536 数据手册

SHD114536

SHD114536A

SHD114536B

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4520, REV. -

POWER SCHOTTKY RECTIFIER

Low Reverse Leakage

Applications:

• Switching Power Supply • Converters • Free-Wheeling Diodes • Polarity Protection Diode

Features:

•

Ultra Low Reverse Leakage Current

•

Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature

Low Forward Voltage Drop

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capacity

Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability

Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics

Maximum Ratings:

Characteristics

Symbol

V_RWM

I_F(AV)

Condition

50% duty cycle, rectangular

wave form

Max.

200

Units

Peak Inverse Voltage

Max. Average Forward

Current

Max. Peak One Cycle Non-

Repetitive Surge Current

Non-Repetitive Avalanche

Energy

Repetitive Avalanche

Current

I_FSM

E_AS

I_AR

8.3 ms, half Sine wave

(per leg)

T_J= 25 °C, I_AS= 1.3 A,

L = 40mH (per leg)

I_ASdecay linearly to 0 in 1 µs

ƒ limited by T_Jmax V_A=1.5V_R

860

1.3

Thermal Resistance

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

R_thJC

T_J

T_stg

Per Package

0.35

-65 to +200

°C/W

°C

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

Max.

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

0.95

@ 60A, Pulse, T_J= 25 °C

(per leg) measured at the leads

V_F2

I_R1

I_R2

C_T

0.79

0.045

3.0

@ 60A, Pulse, T_J= 125 °C

(per leg) measured at the leads

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 25 °C (per leg)

@V_R= 200V, Pulse,

Max. Reverse Current

T_J= 125 °C (per leg)

Max. Junction Capacitance

900

@V_R= 5 V, T_C= 25 °C

f_SIG= 1 MHz,

V_SIG= 50mV (p-p) (per leg)

Due to the nature of the 200V Schottky devices, some degradation in t_rrperformance at high temperatures should

be expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

12 3

中文翻译

下载PDF

与SHD114536相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD114536_08	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114536A	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114536B	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114544	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114544A	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114544B	SENSITRON	获取价格	POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage
SHD114546	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 200ⅹC Maxim
SHD114546_08	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 200°C Maxim
SHD114546A	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 200ⅹC Maxim
SHD114546B	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 200ⅹC Maxim

与SHD114536相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD114536

SHD114536 技术参数

SHD114536 数据手册

与SHD114536相关器件

与SHD114536相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD114536

SHD114536 技术参数

SHD114536 数据手册

与SHD114536相关器件

与SHD114536相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？