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SHD114546SV

更新时间： 2024-11-18 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
Rectifier Diode,

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SHD114546SV 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJESD-30 代码：S-XXSO-N2
最大非重复峰值正向电流：860 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：1100 µA反向测试电压：200 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：UNSPECIFIED
Base Number Matches：1

SHD114546SV 数据手册

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SHD114546  
SHD114546A  
SHD114546B  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 1049, REV. –  
HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
200•C Maximum Operation Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
Applications:  
œ Switching Power Supply œ Converters œ Free-Wheeling Diodes œ Polarity Protection Diode  
Features:  
œ
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
œ
œ
œ
œ
œ
œ
Low Reverse Leakage Current  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
ALL RATINGS ARE @ TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
SYMBOL MAX.  
UNITS  
PEAK INVERSE VOLTAGE  
PIV  
IO  
200  
60  
Volts  
Amps  
Amps  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With Cathode Maintained @ TC=100 OC)  
MAXIMUM NONREPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT  
(t=8.3ms, Sine)  
IFSM  
860  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Junction to Mounting Surface, Cathode)  
MAXIMUM OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE RANGE  
0.35  
R JC  
•C/W  
•C  
Top/Tstg  
-65 to  
+ 200  
MAXIMUM STORAGE TEMPERATURE RANGE  
Top/Tstg  
-65 to  
+ 175  
•C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL MAX.  
UNITS  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP, Pulsed (If = 60 Amps)  
0.95  
Vf  
Volts  
TJ = 25 •C  
TJ = 125 •C  
0.79  
MAXIMUM REVERSE CURRENT (Ir @ 200V PIV)  
Ir  
1.1  
24  
mA  
pF  
TJ = 25 •C  
TJ = 125 •C  
MAXIMUM JUNCTION CAPACITANCE  
(Vr =5V)  
CT  
900  
*Due to the nature of the 200V Schottky devices, some degradation in trr performance at high temperatures should  
be expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.  
221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798  
World Wide Web - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com  
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