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SH8M3TB

更新时间： 2024-11-11 20:01:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.082ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SH8M3TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SH8M3TB 数据手册

4V Drive Nch+Pch MOSFET

SH8M3

Structure

Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel / P-channel MOSFET

SOP8

Features

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (SOP8).

Application

Power switching, DC / DC converter.

Each lead has same dimensions

Packaging specifications

Inner circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SH8M3

∗2

(1) (2) (3) (4)

(1) Tr1 (Nch) Source

(2) Tr1 (Nch) Gate

(3) Tr2 (Pch) Source

(4) Tr2 (Pch) Gate

(5) Tr2 (Pch) Drain

(6) Tr2 (Pch) Drain

(7) Tr1 (Nch) Drain

(8) Tr1 (Nch) Drain

∗1

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Limits

Nchannel

(1)

(2)

(3)

(4)

Parameter

Symbol

Unit

Pchannel

−30

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-source voltage

Gate-source voltage

∗A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

Continuous

Pulsed

5.0

4.5

Drain current

∗1

I_DP

I_S

Continuous

Pulsed

1.6

−1.6

−18

Source current

(Body diode)

∗1

I_SP

∗2

P_D

°C

Total power dissipation

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%

Tstg

−55 to +150

∗2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^∗

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

∗MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

°C / W

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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SH8M3TB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SH8M2TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
SH8M4TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SH8M24TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 45V, 0.064ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe

与SH8M3TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SH8M4	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M4_09	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M41	ROHM	获取价格	4V Drive Nch + Pch MOSFET
SH8M41GZETB	ROHM	获取价格	MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
SH8M4TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SH8M4TB1	ROHM	获取价格	4V Drive NchPch MOSFET
SH8M5	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M5_09	ROHM	获取价格	4V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M5TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SH8M64GAGTCEBAA01	ETC	获取价格	eâ¢MMCTM Product Family

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