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SH8K12

更新时间： 2024-01-31 10:16:58

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罗姆 - ROHM		驱动
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7页	1090K
描述
4V Drive Nch + Nch MOSFET

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SH8K12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SH8K12 数据手册

Data Sheet

4V Drive Nch + Nch MOSFET

SH8K12

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

SOP8

Silicon N-channel MOSFET

Features

(8)

(5)

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (SOP8).

(1)

(4)

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

○

SH8K12

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗2

∗1

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

(1)

(2)

(3)

(4)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Drain-source voltage

Gate-source voltage

20

5.0

20

1.6

Continuous

Drain current

Pulsed

I_DP

I_s

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_sp

2.0

1.4

W / TOTAL

P_D

Power dissipation

W / ELEMENT

Channel temperature

Tch

150

C

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

Tstg

55 to 150

*2 Mounted on a ceramic board.

www.rohm.com

2011.02 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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与SH8K12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SH8K12TB	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.063ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
SH8K13	ROHM	4V Drive Nch Nch MOSFET	获取价格
SH8K13GZETB	ROHM	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
SH8K13TB	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.049ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
SH8K14	ROHM	4V Drive Nch + Nch MOSFET	获取价格
SH8K14GZETB	ROHM	Power Field-Effect Transistor,	获取价格