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SGTQ40T120SDB2P7

更新时间： 2024-03-03 10:09:19

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TO-247-3L

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SGTQ40T120SDB2P7 数据手册

士兰微电子

SGTQ40T120SDB2P7 说明书

典型特性曲线

图1. 典型输出特性

图2. 典型输出特性

160

120

160

V_GE=9V

V_GE=11V

V_GE=13V

V_GE=15V

V_GE=11V

V_GE=13V

V_GE=15V

V_GE=17V

120

共射极

T_C=175°C

共射极

T_C=25°C

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

图 3. 典型饱和电压特性

图 4. 传输特性

120

100

160

120

T_C=25°C

T_C=175°C

T_C=25°C

T_C=175°C

共射极

V_GE=15V

共射极

V_CE=10V

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

栅极-发射极电压 – V_GE(V)

图 6. 饱和电压 vs. V_GE

图 5. 饱和电压 vs. V_GE

I_C=20A

共射极

T_C=175°C

I_C=20A

共射极

T_C=25°C

I_C=40A

I_C=80A

I_C=40A

I_C=80A

栅极-发射极电压 – V_GE(V)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 12 页第 5 页

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