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SGTQ160V65SDB1APWA

更新时间： 2024-03-03 10:10:31

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士兰微 - SILAN		/
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11页	542K
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TO-247PN-3L

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SGTQ160V65SDB1APWA 数据手册

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士兰微电子

SGTQ160V65SDB1APW(PWA)说明书

典型特性曲线

图1. 典型输出特性

图2. 典型输出特性

600

500

400

300

200

100

600

V_GE=9V

V_GE=11V

V_GE=13V

V_GE=15V

V_GE=17V

V_GE=11V

V_GE=13V

V_GE=15V

V_GE=17V

500

400

300

200

100

共射极

T_C=25°C

共射极

T_C=150°C

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

图 3. 典型饱和电压特性

图 4. 传输特性

600

500

400

300

200

100

600

500

400

300

200

100

T_C=25°C

T_C=150°C

共射极

V_GE=15V

共射极

V_CE=10V

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

栅极-发射极电压 – V_GE(V)

图 6. 饱和电压 vs. V_GE

图 5. 饱和电压 vs. V_GE

共射极

T_C=150°C

I_C=100A

共射极

T_C=25°C

I_C=200A

I_C=400A

I_C=200A

I_C=400A

栅极-发射极电压 – V_GE(V)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 11 页

第 5 页

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