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SGTQ160V65SDB1APWA

更新时间： 2024-03-03 10:10:31

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士兰微 - SILAN		/
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11页	542K
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TO-247PN-3L

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SGTQ160V65SDB1APWA 数据手册

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士兰微电子

SGTQ160V65SDB1APW(PWA)说明书

IGBT 电性参数（T_C=150C）

参数

开启延迟时间

符号

T_d(on)

T_r

测试条件

最小值

典型值

138

最大值

单位

V_CE=400V

I_C=100A

R_g=10Ω

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

T_d(off)

T_f

594

V_GE=15V

感性负载

T_C=150C

E_on

E_off

E_st

6.7

关断损耗

4.5

开关损耗

11.2

FRD 电性参数（T_C=150C）

参数

符号

T_rr

测试条件

最小值

典型值

450

最大值

单位

二极管反向恢复时间

二极管反向恢复电荷

二极管反向恢复电流

I_ES=100A，dI_ES/dt=200A/μs，

T_C=150C

Q_rr

µC

Irrm

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 11 页

第 4 页

http: //www.silan.com.cn

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