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SGTP50V65UF1P7

更新时间： 2024-04-09 19:03:19
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士兰微 - SILAN /
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9页 425K
描述
TO-247-3L

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SGTP50V65UF1P7 数据手册

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士兰微电子  
SGTP50V65UF1P7 说明书  
参数  
开启延迟时间  
符号  
测试条件  
最小值  
典型值  
30  
最大值  
单位  
Td(on)  
Tr  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
开启上升时间  
关断延迟时间  
关断下降时间  
导通损耗  
19  
VCE=400V  
IC=25A  
ns  
Td(off)  
Tf  
155  
16  
Rg=10Ω  
VGE=15V  
感性负载  
Eon  
Eoff  
Est  
0.15  
0.08  
0.23  
131  
30  
关断损耗  
mJ  
nC  
开关损耗  
栅电荷  
Qg  
发射极栅电荷  
集电极栅电荷  
Qge  
Qgc  
VCE=520V，IC=50A，VGE=15V  
34  
IGBT 电性参数（TC=150C）  
参数  
开启延迟时间  
符号  
Td(on)  
Tr  
测试条件  
最小值  
典型值  
29  
最大值  
单位  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
VCE=400V  
IC=50A  
开启上升时间  
关断延迟时间  
关断下降时间  
导通损耗  
38  
ns  
Td(off)  
Tf  
178  
76  
Rg=10Ω  
VGE=15V  
感性负载  
TC=150C  
Eon  
Eoff  
Est  
0.56  
0.75  
1.31  
30  
关断损耗  
mJ  
ns  
开关损耗  
开启延迟时间  
开启上升时间  
关断延迟时间  
关断下降时间  
导通损耗  
Td(on)  
Tr  
VCE=400V  
IC=25A  
15  
Td(off)  
Tf  
196  
75  
Rg=10Ω  
VGE=15V  
感性负载  
TC=150C  
Eon  
Eoff  
Est  
0.18  
0.40  
0.58  
关断损耗  
mJ  
开关损耗  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号：1.0  
共 9 页 第 3 页  
http: //www.silan.com.cn  
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