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SG3081J/DESC

更新时间: 2024-09-18 19:53:19
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 16V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon

SG3081J/DESC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:COMMON EMITTER, 7 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-CDIP-T16
元件数量:7端子数量:16
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SG3081J/DESC 数据手册

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