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SG15N12DP

更新时间： 2022-04-06 15:59:32

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SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	173K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),IGBT分立器件Discrete IGBTs。

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SG15N12DP 数据手册

SG15N12P, SG15N12DP

Discrete IGBTs

=25^o

C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Symbol

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

gts

C=IC90; VCE=10V

Pulse test, t 300us, duty cycle 2%

ies

1720

oes

CE=25V; VGE=0V; f=1MHz

res

C=IC90; VGE=15V; VCE=0.5VCES

d(on)

d(off)

off

d(on)

Inductive load, T

=25^o

=IC90; VGE=15V;

CE=960V; R =Roff=10

Remarks:Switching times may increase

for VCE(Clamp) 0.8VCES' higher T or

increased R

Inductive load, T

180

160

1.75

280

320

3.0

=125^o

=IC90; VGE=15V;

CE=960V; R =Roff=10

Remarks:Switching times may increase

for VCE(Clamp) 0.8VCES' higher T or

increased R

0.60

300

360

3.5

d(off)

off

K/W

thJC

0.83

thCK

0.5

=25^o

C, unless otherwise specified)

Reverse Diode (FRED)

Symbol

Characteristic Values

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

=20A; VGE=0V

=20A; VGE=0V; T

2.6

2.1

2.8

=125^o

=25^o

=90^o

=20V; -di

GE=0V; T

=1A; -di /dt=100A/us; V

/dt=400A/us; V

=600V

200

=125^o

=30V; VGE=0V

thJC

1.6

K/W

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