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SG15N12P

更新时间： 2024-11-29 11:48:03

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SIRECT		双极性晶体管
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Discrete IGBTs

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SG15N12P 数据手册

SG15N12P, SG15N12DP

Discrete IGBTs

Dimensions TO-220AB

Dim.

Inches

Min. Max.

Milimeter

Min. Max.

0.500 0.550

0.580 0.630

0.390 0.420

0.139 0.161

0.230 0.270

0.100 0.125

0.045 0.065

0.110 0.230

0.025 0.040

12.70 13.97

14.73 16.00

9.91 10.66

3.54

5.85

2.54

1.15

2.79

0.64

2.54

4.32

1.14

0.35

2.29

4.08

6.85

3.18

1.65

5.84

1.01

BSC

4.82

1.39

0.56

2.79

G=Gate, C=Collector, E=Emitter

0.100

BSC

0.170 0.190

0.045 0.055

0.014 0.022

0.090 0.110

SG15N12DP

Test Conditions

SG15N12P

Symbol

Maximum Ratings

Unit

VCES

VCGR

TJ=25^oC to 150^oC

1200

TJ=25^oC to 150^oC; RGE=1 M ;

VGES

VGEM

Continuous

Transient

±20

±30

IC25

IC90

ICM

TC=25^oC

TC=90^oC

TC=25^oC, 1 ms

VGE=15V; TVJ=125^oC; RG=10

Clamped inductive load

ICM=40

@ 0.8 VCES

SSOA

(RBSOA)

TC=25^oC

150

-55...+150

150

-55...+150

TJM

Tstg

^oC

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s

300

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4

0.55/5

Nm/Ib.in.

Weight

Characteristic Values

min. typ. max.

=25^o

C, unless otherwise specified)

Symbol

Test Conditions

Unit

BV^CES

=250uA; VGE=0V

=250uA; VCE=VGE

600

2.5

GE(th)

5.0

100

3.5

CES

CE=VCES

GE=0V;

;

=25^o

=125^o

GES

CE=0V; VGE=±20V

=IC90; VGE=15V

±100

3.2

CE(sat)

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