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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254Z |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 基于收集器的最大容量： | 300 pF | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 |
| 最大降落时间（tf）： | 250 ns | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 300 ns |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 1250 ns | VCEsat-Max： | 1.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFT6338ZDB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor |
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| SFT6338ZUB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor |
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| SFT6339 | SSDI |
获取价格 |
25 AMP 100 - 150 VOLTS NPN HIGH SPEED POWER TRANSISTOR |
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| SFT6339/3 | SSDI |
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Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| SFT6339/3S | SSDI |
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Power Bipolar Transistor |
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| SFT6339M | SSDI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Meta |
|
| SFT6339MDB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor |
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| SFT6339MDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| SFT6339MUBS | SSDI |
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暂无描述 |
|
| SFT6339MUBTXV | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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