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SFR9120TM_NL

更新时间： 2024-10-01 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 309K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3

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SFR9120TM_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：96 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：4.9 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SFR9120TM_NL 数据手册

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SFR/U9120  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -100 V  
RDS(on) = 0.6 W  
ID = -4.9 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 10 mA (Max.) @ VDS = -100V  
Lower RDS(ON) : 0.444 W (Typ.)  
D-PAK  
I-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
Value  
-100  
-4.9  
Units  
VDSS  
V
ID  
A
-3.4  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
-20  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
20  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
96  
-4.9  
3.2  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
V/ns  
W
O
Peak Diode Recovery dv/dt  
3
O
-6.5  
2.5  
o
*
Total Power Dissipation (TA=25 C)  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
PD  
32  
W
W/oC  
0.26  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RqJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
3.91  
50  
oC/W  
RqJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
RqJA  
110  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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