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SFF340/66

更新时间: 2024-11-16 15:50:59
品牌 Logo 应用领域
SSDI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 83K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-66,

SFF340/66 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.66
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (ID):8.5 A
最大漏源导通电阻:0.55 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-66JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF340/66 数据手册

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