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SFF3810ES

更新时间： 2024-09-15 20:42:39

品牌	Logo	应用领域
SSDI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MILPACK III-4

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SFF3810ES 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.003 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF3810ES 数据手册

SFF3810 Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

350 AMP , 75 Volts, 2.5 mΩ

Avalanche Rated N-channel

TrenchFET

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF3810 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:



Rugged poly-Si gate

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend



Package ^{3/ 4/}

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Q = TO-258 modified

E = MILPACK III

Maximum Ratings^5/

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

+ 20

+ 30

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited)

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D2

I_D3

350

150

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

I_AR

E_AS

200

3000

Single and Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

600

P_D

Operating & Storage Temperature

-55 to 175

ºC

T_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

R_θJC

0.5

ºC/W

NOTES:

MILPACK III (E)

TO-258 modified (Q)

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ For lead bending options / pinout configurations - contact

factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics

@25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0051A

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与SFF3810ES相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF3810ETX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810ETXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810Q	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QDB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QDBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QDBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF3810QUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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