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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.64 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 25 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 30 mA | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 4.7 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 750 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF3G41 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR, TO-220AB |
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| SF3G42 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR |
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| SF3G42C | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR |
|
| SF3G48 | TOSHIBA |
获取价格 |
THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE |
|
| SF3GZ47 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE |
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| SF3H42(LC2) | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 400 V, SCR |
|
| SF3H42LC2 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR |
|
| SF3-HF | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
|
| SF3-HF-W | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
|
| SF3J41 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
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