SF3G48

更新时间： 2024-11-12 02:59:23

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东芝 - TOSHIBA		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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6页	239K
描述
THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

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SF3G48 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	LEAD FREE, 13-10J1B, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	10 mA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4.7 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SF3G48 数据手册

SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48

TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48

MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS

l Repetitive Peak Off−State Voltage : V

= 400,600V

DRM

RRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

l Average On−State Current

l Gate Trigger Current

: V

: I

= 3A

T (AV)

= 10mA MAX.

Unit: mm

SF3G48·SF3J48

USF3G48·USF3J48

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

13−10J1B

13−10J2B

Weight: 1.7g

MARKING

F3G48

F3J48

SF3G48, USF3G48

SF3J48, USF3J48

TYPE

MARK

NAME

2001-07-10

12 3 4 5 6

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与SF3G48相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SF3GZ47	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE
SF3H42(LC2)	TOSHIBA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 400 V, SCR
SF3H42LC2	TOSHIBA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR
SF3-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
SF3-HF-W	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
SF3J41	TOSHIBA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 600 V, SCR, TO-220AB
SF3J42	TOSHIBA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 600 V, SCR
SF3J48	TOSHIBA	获取价格	THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SF3JZ47	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE
SF3L	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 200 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 30 A;Forward Vol