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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.07 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 4.7 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 2000 µA | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF3G42C | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR |
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| SF3G48 | TOSHIBA |
获取价格 |
THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE |
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| SF3GZ47 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE |
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| SF3H42(LC2) | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 400 V, SCR |
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| SF3H42LC2 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 400 V, SCR |
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| SF3-HF | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
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| SF3-HF-W | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
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| SF3J41 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
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| SF3J42 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 600 V, SCR |
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| SF3J48 | TOSHIBA |
获取价格 |
THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE |
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