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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SF30DG-T
SF30DG-T PDF预览

SF30DG-T

更新时间： 2024-11-01 02:51:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER

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SF30DG-T 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SF30DG-T 数据手册

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SF30AG - SF30JG  
3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
Super-Fast Switching for High Efficiency  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
A
B
A
Surge Overload Rating to 125A Peak  
Low Reverse Leakage Current  
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)  
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-201AD  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
DO-201AD  
Min  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Dim  
A
Max  
¾
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
25.40  
7.20  
B
9.50  
1.30  
5.30  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
C
1.20  
Mounting Position: Any  
D
4.80  
Ordering Information: See Last Page  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Weight: 1.12 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
AG  
BG  
100  
70  
CG  
150  
100  
DG  
200  
140  
FG  
300  
210  
GG  
400  
280  
HG  
500  
350  
JG  
600  
420  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
3.0  
@ TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
125  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
0.95  
35  
1.3  
40  
1.5  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
5.0  
100  
mA  
@ TA = 100°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
50  
50  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
75  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
32  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes: 1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See Figure 5.  
rr  
F
R
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS24014 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SF30AG - SF30JG  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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SF30DG-T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UF5402-E3/73 VISHAY

功能相似

 DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
UF5402-E3/54 VISHAY

功能相似

 DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
BYW98-200 STMICROELECTRONICS

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 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

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