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SF30EG

更新时间： 2024-02-22 07:44:17
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER

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SF30EG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SF30EG 数据手册

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SF30AG - SF30JG  
3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
Super-Fast Switching for High Efficiency  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
A
B
A
Surge Overload Rating to 125A Peak  
Low Reverse Leakage Current  
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)  
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-201AD  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
DO-201AD  
Min  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Dim  
A
Max  
¾
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
25.40  
7.20  
B
9.50  
1.30  
5.30  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
C
1.20  
Mounting Position: Any  
D
4.80  
Ordering Information: See Last Page  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Weight: 1.12 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30 SF30  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
AG  
BG  
100  
70  
CG  
150  
100  
DG  
200  
140  
FG  
300  
210  
GG  
400  
280  
HG  
500  
350  
JG  
600  
420  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
3.0  
@ TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
125  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
0.95  
35  
1.3  
40  
1.5  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
5.0  
100  
mA  
@ TA = 100°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
50  
50  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
75  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
32  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes: 1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See Figure 5.  
rr  
F
R
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS24014 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SF30AG - SF30JG  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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