生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.64 | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 100 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 150 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 47 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 8000 µA | 断态重复峰值电压: | 600 V |
重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SF30J2H1 | TOSHIBA |
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Silicon Controlled Rectifier, 600 V, SCR | |
SF30J6S1 | TOSHIBA |
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Silicon Controlled Rectifier, 600 V, SCR | |
SF30JC6 | SHINDENGEN |
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SCHOTTKY ROCTIFIERS(SBD) | |
SF30JG | TAYCHIPST |
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SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER | |
SF30JG | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | |
SF30JG | DIODES |
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3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER | |
SF30JG(LS) | DIODES |
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3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER | |
SF30JG-B | DIODES |
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3.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER | |
SF30JG-BT | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), | |
SF30JGT | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 |