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SEMIX253GD176HDC

更新时间： 2024-01-28 03:28:48

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SEMIX253GD176HDC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：	29	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	250 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X29
JESD-609代码：	e2	元件数量：	6
端子数量：	29	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SEMiX 253GD176HDc

Fig. 7 Typ. switching times vs. I_C

Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R_G

Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD

Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current

Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT

Fig. 11 CAL diode forward characteristic

15-06-2005 SEN

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX253GD176HDC_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX291D16S	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 290A, 1600V V(RRM),
SEMIX302GAL066HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX302GAL066HDS	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 2S, 14
SEMIX302GAL126HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX302GAL12E4S	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX302GAL12E4S_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX302GAL12T4S	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMiX302GAL17E4s	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 2s (117x64x17)
SEMIX302GAR066HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules