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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP40,.6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 位大小： | 8 |
| CPU系列： | TMS7000 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T40 |
| 端子数量： | 40 | 最高工作温度： | 55 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | CERAMIC | |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP40,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 3/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字节）： | 256 | ROM（单词）： | 4096 |
| ROM可编程性： | EPROM | 速度： | 3.75 MHz |
| 子类别： | Microcontrollers | 最大压摆率： | 26.25 mA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SE70PB | VISHAY |
获取价格 |
Ideal for automated placement |
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| SE70PBHM3/87A | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A |
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| SE70PBHM3_A/H | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A |
|
| SE70PBHM3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A |
|
| SE70PB-M3/87A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A |
|
| SE70PD | VISHAY |
获取价格 |
Ideal for automated placement |
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| SE70PDHM3/86A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A |
|
| SE70PDHM3/87A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A |
|
| SE70PDHM3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A |
|
| SE70PD-M3/86A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A |
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