SD830S-T3

更新时间： 2024-02-13 16:05:17

品牌	Logo	应用领域
WTE		整流二极管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
8.0A DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SD830S-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	85 A
元件数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	8 A	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SD830S-T3 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SD820S – SD8100S

8.0A DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

PIN 1

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ L

D PAK/TO-252AA

Mechanical Data

Dim

Min

6.4

5.0

2.35

—

Max

Case: Molded Plastic

6.8

5.4

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band

2.75

1.60

5.7

PIN 3 -

+ Case PIN 2

5.3

2.3

0.4

0.3

Weight: 0.4 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Single

2.7

0.8

Marking: Type Number

0.6

Standard Packaging: 16mm Tape (EIA-481)

0.7

0.50 Typical

—

2.3

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

820S

830S

840S

850S

860S

Characteristic

Symbol

Unit

880S 8100S

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

@T_L= 85°C

8.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

FSM

Forward Voltage (Note 1)

@I_F= 8.0A

V^FM

I^RM

0.65

0.75

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.2

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

R^ꢀ^JA

T^j

400

K/W

°C

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating Temperature Range

-50 to +125

-50 to +150

Storage Temperature Range

T^STG

°C

Note: 1. Mounted on P.C. Board with 14mm²(0.13mm thick) copper pad.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SD820S – SD8100S

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与SD830S-T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD830T	PANJIT	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 8.0 Amperes)
SD830-T	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
SD830-TP	MCC	获取价格	暂无描述
SD830-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SD830YS	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SD830YS-T3	WTE	获取价格	8.0A DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SD830YT	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 8 Ampere)
SD832-03	FUJI	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD832-04	FUJI	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD8328-150-R	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 15uH, 30%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 3733, ROHS COMPLIANT

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SD830S-T3

SD830S-T3 技术参数

SD830S-T3 数据手册

与SD830S-T3相关器件

与SD830S-T3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SD830S-T3

SD830S-T3 技术参数

SD830S-T3 数据手册

与SD830S-T3相关器件

与SD830S-T3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？