SD833-03

更新时间： 2024-02-16 21:35:48

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SD833-03 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.46 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	70 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

SD833-03 数据手册

(30V / 3.0A )

SD833-03

Outline drawings, mm

SCHOTTKY BARRIER DIODE

B A

1.5

2.5

Features

Surface-mount device

Low VF

Marking

Super high speed switching

High reliability by planer design

Cathode mark

B A

Type No

Lot. No

Applications

High speed switching

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings

Symbol

V^RRM

VRSM

Conditions

Item

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

Average output current

Surge current

3.0

tw=500ns, duty=1/40

square wave duty=1/2

Tl=127°C

Sine wave 10ms,

1shot

IFSM

Operating junction temperature

Storage temperature

-40 to +150

°C

Tstg

Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Unit

Symbol

Conditions

Max.

0.46

1.0

I^FM=3.0A

Forward voltage drop

Reverse current

VFM

IRRM

VR=VRRM

°C/W

Junction to lead

Thermal resistance

Rth(j-l)

12 3

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