SD834-04-TE12R

更新时间： 2024-01-07 08:18:37

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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Schottky Barrier Diode

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SD834-04-TE12R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	70 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SD834-04-TE12R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

SD834-04-TE12R

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

Square wave duty =1/2

Tl = 96 ˚C

Average forward current

FAV

4.0

Non-repetitive forward surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms

150

˚C

Tstg

-55 to +150

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

= 4.0 A

Maximum

0.51

Units

Forward voltage

Reverse current

Thermal resistance

=VRRM

1.0

Rth(j-l)

Junction to lead

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

0.035

12 3 4 5 6

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