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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SD830YS-T3
SD830YS-T3 PDF预览

SD830YS-T3

更新时间： 2024-02-13 08:48:58
品牌 Logo 应用领域
WTE 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
8.0A DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SD830YS-T3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：85 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：200 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SD830YS-T3 数据手册

 浏览型号SD830YS-T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SD830YS-T3的Datasheet PDF文件第3页 
WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
SD820YS – SD8100YS  
8.0A DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
!
Schottky Barrier chip  
A
B
C
J
!
!
!
!
!
!
Guard Ring Die Construction  
Low Profile Package  
D
High Surge Current Capability  
Low Power Loss, High Efficiency  
Ideal for Printed Circuit Board  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling Applications  
E
PIN 1  
2
3
K
G
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ H  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ L  
P
P
D PAK/TO-252AA  
Mechanical Data  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
6.4  
5.0  
2.35  
—
Max  
!
!
Case: Molded Plastic  
6.8  
5.4  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band  
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
2.75  
1.60  
5.7  
!
!
!
!
!
Case PIN 2  
5.3  
2.3  
0.4  
0.4  
0.3  
Weight: 0.4 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
G
H
J
2.7  
0.8  
Marking: Type Number  
0.6  
Standard Packaging: 16mm Tape (EIA-481)  
K
L
0.7  
0.50 Typical  
P
—
2.3  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
SD  
SD  
SD  
SD  
SD  
SD  
SD  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
820YS 830YS 840YS 850YS 860YS 880YS 8100YS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
50  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
35  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TL = 85°C  
8.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
I
FSM  
85  
A
Forward Voltage (Note 1)  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
0.65  
0.75  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
0.2  
20  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating Temperature Range  
Cj  
RꢀJA  
Tj  
400  
60  
pF  
K/W  
°C  
-50 to +125  
-50 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Note: 1. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (0.13mm thick) copper pad.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
SD820YS – SD8100YS  
1 of 3  
© 2002 Won-Top Electronics  
123

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与SD830YS-T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD830YT PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 8 Ampere)
SD832-03 FUJI

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