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SD57030

更新时间： 2024-11-20 22:40:27
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器局域网
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7页 264K
描述
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY

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SD57030 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：0.360 X 0.230 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M243, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：32 weeks风险等级：5.7
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SD57030 数据手册

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SD57030  
RF POWER TRANSISTORS  
The LdmoST FAMILY  
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL  
MOSFETs  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
• P  
= 30 W WITH 13 dB gain @ 945 MHz  
OUT  
• BeO FREE PACKAGE  
M243  
(Epoxy Sealed)  
ORDER CODE  
BRANDING  
DESCRIPTION  
SD57030  
TSD57030  
The SD57030 is a common source N-Channel  
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power  
transistor designed for broadband commercial and  
industrial applications at frequencies up to 1.0  
GHz. The SD57030 is designed for high gain and  
broadband performance operating in common  
source mode at 28 V. It is ideal for base station  
applications requiring high linearity.  
PIN CONNECTION  
1
3
2
1. Drain  
2. Gate  
3. Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C)  
CASE  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
65  
(BR)DSS  
V
Drain-Gate Voltage (R = 1 MΩ)  
65  
V
DGR  
GS  
V
Gate-Source Voltage  
+ 20  
V
GS  
I
Drain Current  
4
74  
A
D
P
Power Dissipation (@ Tc = 70°C)  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
°C  
°C  
DISS  
Tj  
200  
T
-65 to + 200  
STG  
THERMAL DATA  
R
th(j-c)  
Junction -Case Thermal Resistance  
1.75  
°C/W  
March, 24 2003  
1/7  
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