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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, M250, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 32 weeks | 风险等级： | 2.31 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDFP-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SD57030 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD57045 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
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| SD57045-01 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
|
| SD57060 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
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| SD57060-01 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
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| SD5711 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon, LCC-3 |
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| SD5711A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon |
|
| SD57120 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
|
| SD5712A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, Silicon, LCC-3 |
|
| SD58 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| SD580 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 20 to 100 Volts |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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