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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | LOW INSERTION LOSS |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 70 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 16 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD5000IP-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000IP-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000IS/B16LROHSSEL1125 | Linear |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000N | MICROSS |
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Quad N-Channel Enhancement Mode DMOS Lateral Switches |
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| SD5000N | CALOGIC |
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High-Speed DMOS Quad FET Analog Switch Arrays |
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| SD5000N | Linear Systems |
获取价格 |
QUAD N-CHANNEL LATERAL DMOS SWITCH ZENER PROTECTED |
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| SD5000NJ | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000NJ | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000NJ-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD5000NJ-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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