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SD5000NJ

更新时间: 2024-09-18 19:44:59
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 瞄准线开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SD5000NJ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64其他特性:LOW INSERTION LOSS
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.05 A最大漏源导通电阻:70 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.5 pF
JESD-30 代码:R-PDIP-T16元件数量:4
端子数量:16工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SD5000NJ 数据手册

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