SD1728D

更新时间： 2024-11-26 13:13:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
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9页	150K
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HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M177, 4 PIN

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SD1728D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	40 A	基于收集器的最大容量：	360 pF
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1728D 数据手册

SD1728 (TH430)

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

OPTIMIZED FOR SSB

30 MHz

50 VOLTS

IMD − 30 dB

GOLD METALLIZATION

COMMON EMITTER

P_OUT250 W PEP WITH 14.5 dB GAIN

.550 4LFL (M177)

epoxy sealed

ORDER CODE

SD1728

BRANDING

TH430

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1728 is a 50 V epitaxial silicon NPN planar

transistor designed primarily for SSB and VHF

communications. This device utilizes emitter bal-

lasting for improved ruggedness and reliability.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

110

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

P_DISS

T_J

Power Dissipation

330

+200

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

0.4

°C/W

1/9

November 1992

12 3 4 5 6 7...9

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