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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 9 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDFM-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 850 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD14950-03 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
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| SD1495-03 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, |
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| SD1495-03 | ADPOW |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| SD14950-3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
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| SD1495-3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| SD1495E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, |
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| SD1496 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 860-900 MHz CLASS C, BASE STATIONS |
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| SD1496-03 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| SD1496-3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
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| SD14-R58 | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 0.58uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2020 |
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