Datasheet > SD1127

SD1127

更新时间： 2024-09-27 09:31:23

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	38K
描述
SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SD1127 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	0.64 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1127 数据手册

SD1127

SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI SD1127 is designed for VHF

mobil communications applications up

to 175 MHz.

FEATURES:

PACKAGE STYLE TO-39

• Grounded Emiter The ASI SD1127

• Gp 12 dB @ 12.5V 175 MHz

• P_out4.0 V Min.

MAXIMUM RATINGS

0.64A

36 V

I_C

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

18 V

1 = COLLECTOR

2 = BASE

8 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

21.9 °C/W

3 = EMITTER

T_STG

θ_JC

TRANS1.SYM

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 5 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

I_C= 1.0 mA

V_CE= 15 V

V_CE= 5.0 V

4.0

.25

---

H_FE

I_C= 50 mA

100

C_OB

V_CE= 15 V

f = 1.0 MHz

G_PE

V_CE= 12.5 V

f = 175 MHz

P_PUT= 4.0 W

V_CC= 12.6 V

P_IN= 0.2 W

f = 136 MHZ

f = 155 MHZ

f = 175 MHZ

Z_IN= 3.0 – j3.8

Z_IN= 4.0 – j2.0

Z_IN= 4.3 – j5.8

Z_CL= 12.8 – j11

_CL= 11 – j14.8

_CL= 13 – j20

IMPEDANCE V_CC= 12.6 V

_CC= 12.6 V

Ω

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

SD1127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE361	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz
2SC1947	MITSUBISHI	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio
SD1127	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS

与SD1127相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD-112F2	KODENSHI	获取价格	Position Sensitive Diodes
SD-112-G-1A	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 24 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, ROHS
SD-112-G-1A-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap
SD-112-G-21A-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap
SD-112-G-21C-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Solder
SD-112-G-29	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Solder
SD-112-G-38	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 24 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, ROHS
SD-112-G-5	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap
SD-112-G-5A-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap
SD-112-G-7-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP24, 24 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap

与SD1127相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

16
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

13
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SD1127

SD1127 技术参数

SD1127 数据手册

SD1127 替代型号

与SD1127相关器件

与SD1127相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SD1127

SD1127 技术参数

SD1127 数据手册

SD1127 替代型号

与SD1127相关器件

与SD1127相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？